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    KS-S300-E
    單片溼法刻蝕機

    滿足半導體制造中溼法刻蝕工藝,單片加工,適用於SiO2,SiN,Polysilicon和各種金屬層的刻蝕,清洗等工藝流程。
    產品優勢:
    • 1.利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學液,可以有效的提高刻蝕均勻性

      2.分層式反應腔體設計,可以在同一腔體中噴灑多種化學液,並能有效回收,節約化學液

      3.疊層控制,佔地面積小,最多可配置4個刻蝕單元


    應用領域:

    ●半導體制造中溼法刻蝕工藝

    ●高端封裝領域中金屬層刻蝕,滿足UBM及RDL工藝要求

    ●OLED 領域中金屬及金屬氧化物(ITO/IGZO)刻蝕、緩衝層成膜前的表面(SiO2)刻蝕清洗等工藝


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